MMBT5551 Транзистор биполярный
Маркировочный код | G1 |
Структура | NPN |
Максимальное напряжение Коллектор-Эмиттер, Vce | 160В |
Максимальное напряжение Коллектор-База, Vcb | 180В |
Максимальное напряжение Эмиттер-База, Veb | 6.0В |
максимальный ток Коллектора, Ic | 600мА |
Мощность рассеивания, Pd | 350мВт |
Тип корпуса | SOT23-3 |
Диапазон рабочих температур | -55...+150°C |
Пр-во | JCST |