Электронные компоненты +7 960 490-10-40

MMBT5551, G1, Транзистор биполярный, NPN, 160В 600мА, 350мВт, Корпус SOT23-3

MMBT5551, G1, Транзистор биполярный, NPN, 160В 600мА, 350мВт, Корпус SOT23-3 фото 5637

оценок 0
написать отзыв
5р.

MMBT5551, G1, Транзистор биполярный, NPN, 160В 600мА, 350мВт, Корпус SOT23-3

в корзину

Артикул: a003425

Бренд: JCST


Описание

MMBT5551 Транзистор биполярный

Logo Adobe R_1 Datasheet MMBT5551

 Маркировочный код  G1
 Структура  NPN
 Максимальное напряжение Коллектор-Эмиттер, Vce 160В
 Максимальное напряжение Коллектор-База, Vcb  180В
 Максимальное напряжение Эмиттер-База, Veb  6.0В
 максимальный ток Коллектора, Ic  600мА
 Мощность рассеивания, Pd  350мВт
 Тип корпуса  SOT23-3
 Диапазон рабочих температур  -55...+150°C
 Пр-во                                                                                            JCST                                                                                    
Отзывы(0)
написать отзыв
  • Имя
    отлично
    Ваша оценка
  • Отзыв
  • Защитный код

Просмотренные товары

  • MMBT5551, G1, Транзистор биполярный, NPN, 160В 600мА, 350мВт, Корпус SOT23-3

новости

все новости